전자재료용 고비점 용제 전자재료의 미세한 가공은 저비점 용제나 수계 용제만으로는 어렵고, 그 개량에는 PGMEA를 비롯한 고비점 용제가 사용됩니다. 당사는 공업 등급의 고비점 용제를 다수 갖추고 있으며, 그 변형은 업계 톱 클래스입니다. 지금까지 많은 레지스트 메이커 및 관련 재료 메이커에서 사용되어 온 실적과 지견으로, 고객의 재료, 프로세스에 맞춘 최적의 용제를 제안합니다. 고비점 용제이므로 할 수 있는 것-도포편- 디바이스의 성능 향상, 수율 개선에는 전자 재료를 균일하게 도포하는 것이 중요합니다. 저비점 용제로 제작한 잉크와 고비점 용제로 제작한 잉크를 도포하여 비교해 봅시다. 저비점 용제로 제작한 잉크는 도포 후 급속하게 건조가 진행되므로 잉크의 얼룩이 발생합니다. 한편, 고비점 용제로 제작한 ..

일유주식회사 2017.1.(Ver2) **논문은 아니지만 분산제 소개자료로 공유합니다** 에슬림®221P는 산형 저분자 분산제입니다.1μm 이하의 미립자에 대해 우수한 분산성을 보여 미립자의 응집 방지 및 분산계의 점도 저하를 부여합니다. 1. 특징 ◆ 금속분말, 특히 Ni가루에 대해 우수한 분산성을 보이며 미립자 응집 방지 및 분산계 점도 저하 등의 효과를 부여합니다. ◆ 유효성분이 높으며(100%), 알칼리 금속 등의 불순물을 포함하지 않습니다. ◆물 이외의 여러 용제에 대해, 용해성이 뛰어납니다. ◆ 양호한 열분해성을 나타내고 질소 분위기 하 약 500 °C에서 열분해 됩니다. 2. Properties 3. 용해성 4. 추천 첨가량 에슬림®221P의 권장 첨가량은 분체 중량에 대해 1~5wt%입니다..

1차년도 기술개발 목표 기술개발내용 가. Nano size Ni powder 합성 기술 개발 1) 플라즈마법을 통한 Nano size Ni powder 합성 및 powder 특성 평가 그림 8.과 그림 9.는 RF 방식의 thermal source를 사용하는 플라즈마 Nano 합성 장치 및 모식도이다. DC플라즈마 방식으로 Ni Nano powder를 합성하기 위해서는 니켈을 전극으로 이용하여 발생하는 플라즈마를 Ni vapor 형성의 thermal source로 사용하지만 RF방식에서는 전극이 없이 반응기 외부 코일에 높은 전기장을 걸어 플라즈마를 발생시키며 Ni source는 carrier gas를 통하여 플라즈마 설비로 투입된다. DC 플라즈마 설비와 마찬가지로 10,000℃ 이상의 매우 높은 반응..