인쇄판 전주-1 전주의 인쇄 공업에의 적용은, 전태판의 제조와 윤전식 그라비아 인쇄판의 롤에의 구리 두께 부착에 이용되고 있습니다. (1) 전태판 활판 조판, 목판, 아연 볼판, 혹은 조각 오목판의 원판에서 전주로 만드는 인쇄판을 전태판이라고 합니다. 전기 태판에는 일반적으로 구리 전주가 쓰이지만, 니켈 혹은 철을 전주 하고, 그 위에 구리를 전주 하는 것도 있습니다. 전태판은 다른 복판법에 비해 정확도가 뛰어나 사진판, 고속활판 인쇄판 등의 정교한 인쇄용 판에 사용됩니다. 전태판 공정은 원판부터 본을 뜨는 과정을 거칩니다.이 형을 전형이라고 하는데, 전형에는 납전형, 납전형, 플라스틱 구형 등이 있습니다. 1) 밀납땜형 밀납땜형 납의 조성은 밀납 60%, 파라핀 15%, 송진 20%, 흑연 5% 등입니..

유튜브에 발표된 삼성전기 최재열개발팀장의 MLCC 개발관련 자료입니다 삼성전기 내부적으로 파우더 사이즈와 제품시트 두께를 기준으로 MLCC 세대를 4세대, 5세대 등 세대구분을 하고 있습니다. 현재 양산수준은 0603 4.7uF 6.3V 정도로 유전체 파우더는 70나노, 시트두께 0.8um(소성수축후 0.47um) 정도로 설계되고 있습니다 MLCC 제조의 핵심기술을 재료별 공정별로 분류하였습니다. 유전체는 세라믹재료, 내부전극은 금속재료, 외부전극은 금속재료와 글래스, 바인더 등 재료를 포함하여 전기, 전자, 기계 공학의 모든 지식이 합쳐져야 완벽해질수 있습니다 우선 유전체재료를 보면 BaTiO3의 내제화를 통해 미세 재료를 만들수 있으며 외부에서 구할수 없는 high-tetragonality BT를 제..

인터넷에서 구한 삼화콘덴서 자료에 보충설명하고자 한다. 2010년도 삼화에서 발표한 자료.. 11년전 자료입니다 서술할 내용은 주로 파우더 배치 성형 인쇄 (적층, 압착, 절단) 소성공정입니다 그당시는 L/C/R 칩부품이 복합부품화되거나 기판에 내장되는 방향으로 발전할 것으로 예상하였으나 현재는 각 부품의 고용량화, 소형화, 고압화 등 독자 발전하고 있다 일반적인 칩부품의 제조공정인듯 한데 ,,,,, 용어는 많이 다를 수있습니다 요한슨다이렉트릭사의 MLCC제조 공정도 (그림자체가 구식이지요) 실제 공정도 많이 발전했고요 공정별 X인자 Y인자를 설명하는 자료인듯합니다.. 예전에 6-시그마할때 많이 만들었지요. 위 그림의 L*W*T 사이즈가 조금 이상하네요 L=3.2, W=1.6이면 T=2.5 인 칩은 일반..

이 장에서는, 콘덴서란 무엇인가, 콘덴서 C(Condenser)에는 어떤 종류가 있는가, 콘덴서는 어떻게 해서 만들어지는가에 대해서, 휴대전화 및 컴퓨터 등으로 특히 주목 받고 있는 칩 세라믹 콘덴서를 중심으로 알아 보도록 하겠습니다. 1) 콘덴서의 기초: 콘덴서는 언제, 어떤 목적으로 개발된 것입니까. 2) 콘덴서의 기본 특성: 콘덴서는 어떠한 전기적인 기본 특성을 가지고 있습니까. 3) 콘덴서의 역할: 콘덴서는 전자 회로 안에서 어떻게 사용되고 있습니까. 4) 콘덴서의 종류: 알루미늄 전해 콘덴서 및 칩 세라믹 콘덴서 등, 많은 종류가 있습니다. 5) 콘덴서의 기본 설계: 용도에 맞는 설계 대응에 대해 알아 보겠습니다. 6) 제조전의 준비: 칩 세라믹 콘덴서를 뒷받침하는 주변 기술에 대해 알아 보겠습..

1차년도 기술개발 목표 기술개발내용 가. Nano size Ni powder 합성 기술 개발 1) 플라즈마법을 통한 Nano size Ni powder 합성 및 powder 특성 평가 그림 8.과 그림 9.는 RF 방식의 thermal source를 사용하는 플라즈마 Nano 합성 장치 및 모식도이다. DC플라즈마 방식으로 Ni Nano powder를 합성하기 위해서는 니켈을 전극으로 이용하여 발생하는 플라즈마를 Ni vapor 형성의 thermal source로 사용하지만 RF방식에서는 전극이 없이 반응기 외부 코일에 높은 전기장을 걸어 플라즈마를 발생시키며 Ni source는 carrier gas를 통하여 플라즈마 설비로 투입된다. DC 플라즈마 설비와 마찬가지로 10,000℃ 이상의 매우 높은 반응..

제 3장 사업성과 제 1절 기술적 성과 1. Ni Powder 나노 합성 및 특성 평가 그림 4는 RF방식의 thermal source를 사용하는 플라즈마 nano합성 장치 및 방법을 모식도로 나타낸 것이다. DC 플라즈마 방식으로 Ni Nano powder를 합성하기 위해서는 니켈을 전극으로 이용하여 발생하는 플라즈마를 Ni vapor형성의 thermal source로 사용하지만 RF방식에서는 전극이 없이 반응기 외부 코일에 높은 전기장을 걸어 플라즈마를 발생시키며 Ni source는 carrier gas를 통하여 플라즈마 설비로 투입된다. DC 플라즈마 설비와 마찬가지로 10,000°C이상의 매우 높은 반응온도설비도 가능하기 때문에 사용 원료의 제약이 없으며 금속 Ni이 아닌 니켈염 slurry나 N..