인터넷에서 구한 삼화콘덴서 자료에 보충설명하고자 한다. 2010년도 삼화에서 발표한 자료.. 11년전 자료입니다 서술할 내용은 주로 파우더 배치 성형 인쇄 (적층, 압착, 절단) 소성공정입니다 그당시는 L/C/R 칩부품이 복합부품화되거나 기판에 내장되는 방향으로 발전할 것으로 예상하였으나 현재는 각 부품의 고용량화, 소형화, 고압화 등 독자 발전하고 있다 일반적인 칩부품의 제조공정인듯 한데 ,,,,, 용어는 많이 다를 수있습니다 요한슨다이렉트릭사의 MLCC제조 공정도 (그림자체가 구식이지요) 실제 공정도 많이 발전했고요 공정별 X인자 Y인자를 설명하는 자료인듯합니다.. 예전에 6-시그마할때 많이 만들었지요. 위 그림의 L*W*T 사이즈가 조금 이상하네요 L=3.2, W=1.6이면 T=2.5 인 칩은 일반..

제 3장 사업성과 제 1절 기술적 성과 1. Ni Powder 나노 합성 및 특성 평가 그림 4는 RF방식의 thermal source를 사용하는 플라즈마 nano합성 장치 및 방법을 모식도로 나타낸 것이다. DC 플라즈마 방식으로 Ni Nano powder를 합성하기 위해서는 니켈을 전극으로 이용하여 발생하는 플라즈마를 Ni vapor형성의 thermal source로 사용하지만 RF방식에서는 전극이 없이 반응기 외부 코일에 높은 전기장을 걸어 플라즈마를 발생시키며 Ni source는 carrier gas를 통하여 플라즈마 설비로 투입된다. DC 플라즈마 설비와 마찬가지로 10,000°C이상의 매우 높은 반응온도설비도 가능하기 때문에 사용 원료의 제약이 없으며 금속 Ni이 아닌 니켈염 slurry나 N..

제3장 내부전극재료 니켈 입자와의 균일 혼합 기술의 개발(Ni 입자 표면에 대한 공재의 표면처리) 3-1 니켈 입자의 분산 기술 확립 1. 니켈입자의 평가 100nm 이하의 니켈 입자는 작성법이 다른 2개사로부터 공급 가능하였다.두 회사의 니켈 입자의 DBET(비 표면적 지름)는 80nm로 동일하나 T 사의 경우 입경 편차가 크고, 대형 입자가 존재해 전극층의 얇은 층화에 악영향을 미칠 우려가 있어 본 개발에서는 S사제의 니켈 분말을 사용한다. S사의 니켈입자는 제조공정 및 유기용매 중에서의 분산성 향상을 위해 지방족 아민의 하나인 메틸아민(CH3NH3)으로 표면이 처리되어 있다.열분석장치(TG-DTA)에서의 메틸아민 정량결과는 니켈에 대해 약 2 중량 %였다. 2016년도 전략적 기반기술 고도화 연계 ..

Daiken Ueyama 4.1 액상법(습식화학환원법) ​ 서론 유전체에 산화티탄(TiO2)을 사용한 디스크 콘덴서가 1930년대에 독일(HESHO)에서 개발되었다. 그것을 받아 1935년에는 일본에서도 川端제작소나 村田(murata)제작소등의 회사가 차차 창업하여 디스크 콘덴서 생산을 시작하였다. 한편 1940년대가 되면서 산화티탄 콘덴서의 개량을 위해, 산화티탄(TiO2)에 산화 바륨(BaO)이나 산화마그네슘(MgO), 산화 칼슘(CaO) 등을 복합화하는 연구가 성행하였다. Waku등은 고유전율을 갖는 티탄산바륨을 발명하였다. 그 발명으로 인해 세라믹 콘덴서의 성능이 현저하게 향상되었다. 그 후 콘덴서의 편리성은 텔레비젼를 시작으로 각종전자기기로의 수요를 불러 일으켰다. 그래서, 콘덴서 maker에서..